Sensor M-DW1

Liên hệ: 0243 8 771 700

Cảm biến ánh xạ loại wafer phản xạ chùm tia LED an toàn

Miễn phí vận chuyển
Hỗ trợ kỹ thuật 24/7
Bảo hành 1 năm, chăm sóc trọn đời

Hotline: 024 3 8 771 700

Chat Facebook

Mô tả

Sensor M-DW1

Đặc trưng

Đèn LED an toàn được thông qua

Cảm biến lập bản đồ laser thông thường sử dụng chùm tia laser rất nguy hiểm vì người vận hành tiếp xúc trực tiếp với chùm tia laser đi ra khỏi cổng tải thông qua FOUP. Chúng tôi đã thành công trong việc phát triển đèn LED để sử dụng làm nguồn sáng cho M-DW1. Do đó an toàn của người vận hành được đảm bảo.

Có thể cảm nhận các tấm xốp phủ nitride

Tấm phủ nitride hấp thụ ánh sáng ở các bước sóng nhất định tùy thuộc vào độ dày lớp phủ. Nếu cảm biến sử dụng chùm tia laze có một bước sóng duy nhất, chùm tia có thể bị hấp thụ hoàn toàn, dẫn đến lỗi phát hiện tấm mỏng. M-DW1 sử dụng nguồn sáng LED với dải bước sóng rộng cho phép phát hiện thành công các tấm phủ nitride.

Thời gian phản hồi tốc độ cao: 0,5 ms

Cảm biến phản hồi trong 0,5 ms, đáp ứng yêu cầu của cả tốc độ cao và độ chính xác cao trong việc phát hiện wafer.

Tấm lót thủy tinh cũng có thể phát hiện được

M-DW1, phát hiện phiến thủy tinh không phải bằng lượng ánh sáng mà bằng vị trí ánh sáng, có thể phát hiện phiến thủy tinh bất kể lượng ánh sáng.

Phát hiện vị trí chính xác bằng phần tử nhận 2 phân đoạn

Việc phát hiện Wafer theo lượng ánh sáng phản xạ đôi khi có thể không thành công tùy thuộc vào hình dạng cạnh của wafer. M-DW1 sử dụng phần tử nhận 2 đoạn trong phần nhận chùm tia và phát hiện các tấm nền bằng vị trí ánh sáng phản xạ thay vì lượng ánh sáng phản xạ. Do đó, cảm biến ít bị ảnh hưởng bởi độ dày tấm mỏng hoặc lượng ánh sáng phản xạ.

Thiết kế nhỏ gọn và nhẹ với bộ khuếch đại tích hợp

Cảm biến có kích thước W80,6 mm x H18,3 mm x D50 mm W3.173 in x H0,720 in x D1,969 in và trọng lượng chỉ xấp xỉ 75 g.

Hướng dẫn đặt hàng

Mẫu số	Vẻ bề ngoài	Khoảng cách cảm nhận trung tâm	Đối tượng cảm biến	Đầu ra
M-DW1		45 mm 1.772 in	Tấm bán dẫn 3 inch hoặc lớn hơn	Đầu ra NPN / đầu ra PNP có thể lựa chọn bằng công tắc

Thông số kỹ thuật

Loại		Loại phản xạ chùm tia LED
Mẫu số		M-DW1
Khoảng cách cảm nhận trung tâm		45 mm 1.772 in
Đối tượng cảm biến		Tấm bán dẫn 3 inch hoặc lớn hơn (Lưu ý 2)
Bề mặt có thể phát hiện		Bề mặt có cạnh bên phản chiếu ánh sáng theo hướng nhận ánh sáng (Lưu ý 3)
Góc cảm biến		12,5 ± 5 ° (Chú thích 4)
Sân Wafer		Có thể cảm nhận riêng biệt ở độ nhạy bình thường đối với cao độ 3 mm 0,118 trở lên (Lưu ý 5)
Băng cassette phù hợp		Băng cassette FOUP tiêu chuẩn SEMI / băng mở
Cung cấp hiệu điện thế		12 đến 24 V DC ± 10% Độ gợn sóng PP 10% trở xuống
Mức tiêu thụ hiện tại		65 mA trở xuống
Đầu ra		Đầu ra NPN / đầu ra PNP, có thể lựa chọn với công tắc lựa chọn đầu ra <Đầu ra NPN> Bóng bán dẫn cực thu mở NPN – Dòng điện chìm tối đa: 100 mA – Điện áp áp dụng: 30 V DC trở xuống (giữa đầu ra và 0 V) – Điện áp dư: 1 V hoặc nhỏ hơn (ở dòng chìm 100 mA) 0,4 V trở xuống (ở dòng chìm 16 mA) <Ngõ ra PNP> Bóng bán dẫn cực thu mở PNP – Dòng nguồn tối đa: 100 mA – Điện áp áp dụng: 30 V DC trở xuống (giữa đầu ra và + V ) – Điện áp dư: 1 V trở xuống (ở dòng nguồn 100 mA) 0,4 V trở xuống (ở dòng nguồn 16 mA)
	Hạng mục sử dụng	DC-12 hoặc DC-13
	Hoạt động đầu ra	Light-ON / Dark-ON, có thể lựa chọn bằng công tắc
	Bảo vệ ngắn mạch	Hợp nhất (tự động khôi phục)
Thời gian đáp ứng		500 μs trở xuống
Chỉ báo hoạt động		Đèn LED màu cam (sáng lên khi đầu ra BẬT)
Chỉ báo độ ổn định		Đèn LED xanh lục (sáng lên trong điều kiện nhận ánh sáng ổn định hoặc điều kiện bóng tối ổn định)
Chức năng hẹn giờ		Khoảng Bộ hẹn giờ trễ TẮT cố định 2 ms, có thể chuyển đổi hiệu quả hoặc không hiệu quả
Đầu vào kiểm tra (đầu vào dừng phát thải)		Điều kiện tín hiệu – Ngừng phát xạ: Mở, hoặc 4 đến 8 V – Phát xạ: 0 đến 3 V, hoặc 9 V đến + V (tối đa 26,4 V)
Đầu vào lựa chọn độ nhạy		Điều kiện tín hiệu – Ngõ vào TẮT: Mở, hoặc 4 đến 8 V – BẬT ngõ vào: 0 đến 3 V, hoặc 9 V đến + V (tối đa 26,4 V)
Cài đặt độ nhạy		Dạy bề mặt sau: được thực hiện với nút cài đặt độ nhạy của cảm biến Lựa chọn độ nhạy phát hiện: 4 mức với công tắc 2 bit của cảm biến hoặc 2 mức với đầu vào bên ngoài có thể lựa chọn
Mức độ ô nhiễm		3 (Môi trường công nghiệp)
Nhiệt độ môi trường xung quanh		0 đến +55 ℃ +32 đến +131 ℉ (Không đọng sương), Lưu trữ: -10 đến +70 ℃ +14 đến +158 ℉
Độ ẩm môi trường xung quanh		35 đến 85% RH, Lưu trữ: 35 đến 85% RH
Độ rọi xung quanh		Đèn sợi đốt: 3.000 lx ở mặt tiếp nhận ánh sáng, Đèn huỳnh quang: 1.500 lx ở mặt tiếp nhận ánh sáng
EMC		EN 60947-5-2
Khả năng chịu điện áp		1.000 V AC trong một phút. giữa tất cả các thiết bị đầu cuối nguồn cung cấp được kết nối với nhau và vỏ bọc
Vật liệu chống điện		20 MΩ hoặc hơn, với bộ kích hoạt 250 V DC giữa tất cả các đầu cuối nguồn được kết nối với nhau và vỏ
Chống rung		Tần số 10 đến 500 Hz, biên độ 3 mm 0,118 theo các hướng X, Y và Z trong hai giờ mỗi
Chống va đập		Gia tốc 98 m / s ² (xấp xỉ 10 G) theo các hướng X, Y và Z cho mỗi hướng năm lần
Phần tử phát ra		LED (điều chế)
Vật tư		Vỏ: ABS và thép không gỉ (SUS301), Ống kính: Acrylic
Cáp		Cáp cabtyre 5 lõi 0,15 mm ² , dài 300 mm 11,811
Mở rộng cáp		Có thể mở rộng lên đến tổng cộng 10 m 32,808 ft với cáp 0,15 mm ² hoặc hơn.
Trọng lượng		Khối lượng tịnh: xấp xỉ 75 g.

Lưu ý 1:	Trong trường hợp các điều kiện đo không được chỉ định chính xác, các điều kiện được sử dụng là nhiệt độ môi trường xung quanh +20 ℃ +68 ℉ .
Lưu ý 2:	Trong trường hợp tấm wafer 8 inch trở xuống, cao độ tấm wafer, độ phẳng định hướng hoặc tình trạng bề mặt có thể ảnh hưởng đến cảm nhận.
Lưu ý 3:	Không thể phát hiện các tấm wafer được đánh bóng, v.v. có cạnh sắc vì chúng không phản chiếu ánh sáng theo hướng nhận ánh sáng.
Lưu ý 4:	Vì vị trí của mặt phẳng định hướng có thể thay đổi ± 20 ° do chuyển động quay của nó.
Lưu ý 5:	Đây là cao độ của một tấm wafer 8 inch gần vùng trung tâm của nó khi nó được đưa vào theo kiểu nghiêng. Khi phát hiện tấm wafer có mặt phẳng định hướng, bước sóng của tấm wafer vẫn nhỏ hơn khi cảm nhận ở các vị trí tránh mặt phẳng định hướng. Trong trường hợp này, tín hiệu cảm biến không thể được phân giải và nó trở thành tín hiệu liên tục, rộng.